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N型 単結(jié)晶シリコンウェハー

0.6-1.6 <Ω·cm>

抵抗率

≤12 <ppma>

酸素含有量

≤1 <ppma>

炭素含有量

≥800 <µs>

少數(shù)キャリア壽命

材料性能

プロジェクト 仕様 検出方法
結(jié)晶育成方法 CZ(チョクラルスキー)法 --
結(jié)晶性 単結(jié)晶 --
導(dǎo)電タイプ N型 PN測(cè)定機(jī)
寸法 M10:182.2x182.2φ247mm
G12:210x210 φ295mm
G12-R:182.3x210 φ272mm
シリコンウェハー選別機(jī)
厚さ M10:90-160μm
G12:90-160μm
G12-R:90-160μm
シリコンウェハー選別機(jī)

電気特性

プロジェクト 仕様 検出方法
抵抗率 0.6-1.6<Ω·cm> シリコンウェハー選別機(jī)
少數(shù)キャリア壽命 ≥800<μs> 少數(shù)キャリア壽命測(cè)定機(jī)BCT-400
酸素含有量 ≤12 FTIR(フーリエ変換赤外分光分析裝置)
炭素含有量 ≤1 FTIR(フーリエ変換赤外分光分析裝置)

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