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Tipo P

0.4-1.1 <Ω·cm>

Resistividade

≤16 <ppma>

Teor de oxigênio

≤1 <ppma>

Teor de carbono

≥70 <µs>

Tempo de vida do portador minoritário

Propriedades do material

Item Especifica??es Método de teste
Método de crescimento Método Czochralski --
Cristalinidade Monocristalino --
Tipo de condutividade Tipo P Testador PN
Tamanho M10：182.2*182.2*φ247mm
G12：210*210*φ295mm		 Separador de wafer de silício
Espessura M10：90-160μm
G12：90-160μm		 Separador de wafer de silício

Propriedades elétricas

Item Especifica??es Método de teste
Resistividade 0.4-1.1 <Ω·cm> Separador de wafer de silício
Tempo de vida do portador minoritário ≥ 70 <μs> Tempo de vida do portador minoritário do testador BCT-400
Teor de oxigênio ≤16 Espectr?metro de infravermelhos com transferência de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Teor de carbono ≤1 Espectr?metro de infravermelhos com transferência de Fourier FTIR (ASTM F123-91)

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